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STD1NK60-1产品参数和技术文档

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STD1NK60-1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.42343
$1,270.29

STD1NK60-1产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 1A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 600V 1A(Tc) 30W(Tc) I-PAK

制造商:STMicroelectronics

系列:SuperMESH??

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):156pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):30W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I-PAK

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装:75

其它名称:497-12782-5 STD1NK60-1-ND STD1NK601

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