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STD2N62K3产品参数
型号:STD2N62K3
Brand Name:STMicroelectronics
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.51
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas):85 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:620 V
最大漏极电流 (ID):2.2 A
最大漏源导通电阻:3.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):8.8 A
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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