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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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STD30NE06L产品参数和技术文档

STD30NE03L产品图

STD30NE06L产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.77625
$2,328.75

STD30NE06L产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 55W(Tc) DPAK

制造商:STMicroelectronics

系列:STripFET™

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):41nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2370pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):55W(Tc)

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:3,000

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