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  • STD5NB20图
  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • STD5NB20
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  • 厂家ST/意法 
  • 封装TO-252 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ST-意法半导体 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装TO-252-3 
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  • STD5NB20图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • STD5NB20
  • 数量76066 
  • 厂家ST 
  • 封装TO252 
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配单直通车
STD5NB20产品参数
型号:STD5NB20
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.3
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):40 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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