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STD80N10F7产品参数
型号:STD80N10F7
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:13 weeks
风险等级:5.72
其他特性:ULTRA LOW-ON RESISTANCE
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):70 A
最大漏极电流 (ID):70 A
最大漏源导通电阻:0.01 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):85 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):280 A
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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