STF11NM65N产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V TO-220FP

详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP

制造商：STMicroelectronics

系列：MDmesh™ II

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：455 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：800pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：25W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220FP

封装/外壳：TO-220-3 整包

标准包装：50

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）