STGB20M65DF2产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK

详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 40A 166W Surface Mount D2PAK

制造商：STMicroelectronics

系列：M

零件状态：在售

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：40A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：80A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2V @ 15V，20A

功率 - 最大值：166W

开关能量：140µJ (开)，560µJ (关)

输入类型：标准

栅极电荷：63nC

25°C 时 Td（开/关）值：26ns/108ns

测试条件：400V，20A，12 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：166ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

标准包装：1,000