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| 型号: | STGD18N40LZT4 |
| Brand Name： | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | STMICROELECTRONICS |
| 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 1.65 |
| Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=222116 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=222116 |
| Samacsys PartID： | 222116 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/STGD18N40LZT4.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/STGD18N40LZT4.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | TO-XXX (Inc. DPAK) |
| Samacsys Footprint Name： | DPAK (TO-252)_6 |
| Samacsys Released Date： | 2015-07-28 09:15:31 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | VOLTAGE CLAMPING |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 420 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 2.3 V |
| 门极-发射极最大电压： | 16 V |
| JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 22200 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 4450 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
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