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| 型号: | STGWT80H65DFB |
| Brand Name： | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 32 weeks |
| 风险等级： | 2.23 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 120 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 650 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 469 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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