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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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STH310N10F7-2产品参数和技术文档

STH310N10F7-2产品图

STH310N10F7-2产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1,000
3.91230
$3,912.30

STH310N10F7-2产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 315W(Tc) H2Pak-2

制造商:STMicroelectronics

系列:DeepGATE™,STripFET™ VII

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 60A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):180nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):12800pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):315W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:H2Pak-2

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1,000

其它名称:497-13585-2 STH310N10F72

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