STH80N10F7-2产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2

详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 110W（Tc） H2Pak-2

制造商：STMicroelectronics

系列：DeepGATE™，STripFET™ VII

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.5 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：45nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3100pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：110W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：H2Pak-2

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：1,000

其它名称：497-14980-2