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STI10N62K3产品参数和技术文档

STI1010FUAA2T产品图

STI10N62K3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.50000
$2.50
10
2.25700
$22.57
100
1.81380
$181.38
500
1.41076
$705.38

STI10N62K3产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK

详细描述:通孔 N 沟道 620V 8.4A(Tc) 125W(Tc) I2PAK

制造商:STMicroelectronics

系列:SuperMESH3™

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):620V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):750 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):42nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1250pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):125W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I2PAK

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装:50

其它名称:497-12256

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