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STI55NF03L产品参数和技术文档

STI5512WD-X产品图

STI55NF03L产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.53000
$1.53
10
1.35500
$13.55
100
1.07070
$107.07
500
0.83030
$415.15
1,000
0.65550
$655.50

STI55NF03L产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK

详细描述:通孔 N 沟道 30V 55A(Tc) 80W(Tc) I2PAK

制造商:STMicroelectronics

系列:STripFET™ II

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):13 毫欧 @ 27.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):27nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1265pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):80W(Tc)

工作温度:-60°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I2PAK

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装:50

其它名称:497-12263

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