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    STK11C68-L35I相关文章

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STK11C68-L35I产品参数
型号:STK11C68-L35I
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:QCCN, LCC28(UNSPEC)
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.78
最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-CQCC-N28
JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:28
字数:8192 words
字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC28(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.29 mm
最大待机电流:0.001 A
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8.89 mm
Base Number Matches:1
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