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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ST-意法半导体 
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  • 深圳市惠诺德电子有限公司

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  • 厂家STMicroelectronics 
  • 封装MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT 
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  • 原装现货,只有原装
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 封装8-PowerVDFN 
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  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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STL100N3LLH6产品参数
型号:STL100N3LLH6
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-XDSO-N5
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.005 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XDSO-N5
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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