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STN2NF10产品参数
型号:STN2NF10
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SOT-223
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.68
雪崩能效等级(Eas):300 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A
最大漏源导通电阻:0.26 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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