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STP11NM80产品参数和技术文档

STP11NM80产品图

STP11NM80产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
6.76000
$6.76
10
6.03800
$60.38
100
4.95080
$495.08
500
4.00890
$2,004.45
1,000
3.38100
$3,381.00

STP11NM80产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):400 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):43.6nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1630pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150W(Tc)

工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-4369-5

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