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STP12N60M2产品参数和技术文档

STP12N60FI产品图

STP12N60M2产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.94000
$1.94
10
1.75500
$17.55
100
1.41020
$141.02
500
1.09682
$548.41
1,000
0.90879
$908.79

STP12N60M2产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB

详细描述:通孔 N 沟道 600V 9A(Tc) 85W(Tc) TO-220

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™ M2

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):538pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):85W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-16020-5

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