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    • STP12NB30图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • STP12NB30 现货热卖
    • 数量78800 
    • 厂家ST-意法半导体 
    • 封装TO-220-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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    • STP12NB30图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • STP12NB30
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    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
    • STP12NB30图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量23480 
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    • 公司只售原装 支持实单
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    • STP12NB30图

    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • STP12NB30
    • 数量3502 
    • 厂家ST/意法 
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    • STP12NB30图

    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • STP12NB30图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • 数量78800 
    • 厂家ST-意法半导体 
    • 封装TO-220-3 
    • 批号▉▉：2年内 
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    • STP12NB30FP图

    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • STP12NB30FP
    • 数量78800 
    • 厂家ST-意法半导体 
    • 封装TO-220-3 
    • 批号▉▉：2年内 
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    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 数量26000 
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    • 深圳市宗天技术开发有限公司

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    • STP12NB30
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    • 封装TO-220 
    • 批号21+ 
    • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
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    • 艾润（香港)电子有限公司

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    • STP12NB30
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    • 厂家原厂品牌 
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    • 批号最新年份 
    • 原厂进口正品部分现货
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 0755-83789203 QQ:2881493920QQ:2881493921
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 数量16582 
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    • 封装TO-220 
    • 批号 
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    • 0755-83789203多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • STP12NB30，P12NB30图

    • 香港元动力半导体有限公司

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    • STP12NB30，P12NB30
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    • 原厂进口正品部分现货
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    • 0755-25320966，18923496413微信同步报价 QQ:3005602369

    产品型号STP12NB30的概述

    STP12NB30芯片概述 STP12NB30是一种功率MOSFET，广泛应用于高电压、高电流电子电路中。由于其优越的电气特性和良好的热稳定性，STP12NB30在开关电源、照明控制和电机驱动等领域表现出色。其关键特点包括低导通电阻、高击穿电压，以及高速开关能力，使得其在现代电子设计中变得极为重要。 STP12NB30的主要特点之一是其具有12A的最大持续电流和降低开关损失的能力，这使其特别适合在需要高效率和大电流处理的应用场合。作为一款N沟道MOSFET，其源极(S)和漏极(D)配置经常用于实现电力控制和管理。该器件广泛应用于变换器、电源模块、逆变器、电机控制等。 STP12NB30详细参数 STP12NB30的参数特性如下： - 最大漏极源极电压（V_DS）: 30V - 最大连续漏极电流（I_D）: 12A - 脉冲漏极电流（I_DM）: 40A - 最大栅极源极电压（V_GS）...
    配单直通车
    STP12NB30产品参数
    型号:STP12NB30
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：STMICROELECTRONICS
    零件包装代码：TO-220AB
    包装说明：TO-220, 3 PIN
    针数：3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    风险等级：5.82
    Is Samacsys：N
    雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：300 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
    最大漏极电流 (ID)：12 A
    最大漏源导通电阻：0.4 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码：TO-220AB
    JESD-30 代码：R-PSFM-T3
    JESD-609代码：e3
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：FLANGE MOUNT
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：125 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：NO
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
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