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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家SEMTRON-MICRO 
  • 封装SOT-23L 
  • 批号25+23+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家SEMTRON-MRO 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量18800 
  • 厂家STANSON 
  • 封装SOT-23.贴片 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 封装SOT23 
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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STP23NM60N产品参数
型号:STP23NM60N
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):700 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):19 A
最大漏极电流 (ID):19 A
最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):76 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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