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STP2N62K3产品参数和技术文档

STP2N50FP产品图

STP2N62K3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.53000
$1.53
10
1.35500
$13.55
100
1.07070
$107.07
500
0.83030
$415.15
1,000
0.65550
$655.50

STP2N62K3产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220

详细描述:通孔 N 沟道 620V 2.2A(Tc) 45W(Tc) TO-220

制造商:STMicroelectronics

系列:SuperMESH3™

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):620V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 1.1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):15nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):340pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):45W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-12612-5 STP2N62K3-ND

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