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  • 万三科技(深圳)有限公司

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STP310N10F7产品参数
型号:STP310N10F7
Brand Name:STMicroelectronics
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:43 weeks 2 days
风险等级:2.27
其他特性:ULTRA LOW RESISTANCE
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):180 A
最大漏极电流 (ID):120 A
最大漏源导通电阻:0.0027 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):315 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):720 A
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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