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STP3N80K5产品参数和技术文档

STP3N80FT产品图

STP3N80K5产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.21000
$2.21
10
1.99600
$19.96
100
1.60430
$160.43
500
1.24776
$623.88
1,000
1.03385
$1,033.85

STP3N80K5产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220

详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220

制造商:STMicroelectronics

系列:SuperMESH5™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):9.5nC @ 10V

Vgs(最大值):30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):130pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):60W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-14281-5 STP3N80K5-ND

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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