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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳德田科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市兴科泰科技有限公司

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  • 深圳市莱杰信科技有限公司

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  • 深圳市柯尔基电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市新力诚科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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STP80N70F6产品参数和技术文档

STP80N70产品图

STP80N70F6产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.89000
$1.89
10
1.70700
$17.07
100
1.37140
$137.14
500
1.06662
$533.31
1,000
0.88378
$883.78

STP80N70F6产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N CH 68V 96A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 68V 96A(Tc) 110W(Tc) TO-220

制造商:STMicroelectronics

系列:DeepGATE™,STripFET™ VI

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):68V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):96A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 48A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):99nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5850pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):110W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:50

其它名称:497-13554-5

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