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产品型号STPS1045D的概述

芯片STPS1045D的概述 STPS1045D是一种双向整流二极管，其设计用于各种电力转换和控制应用。该芯片属于STMicroelectronics（意法半导体）生产的一系列高性能二极管，可以在一定的电压和电流条件下有效地工作。STPS1045D尤其适合用于电源管理、逆变器和其他需要高效率电流控制的电子电路。芯片STPS1045D的详细参数 STPS1045D的主要电气性能和参数如下： 1. 电压-电流特点: - 最大反向工作电压（V_RRM）：45V - 最大正向电流（I_F）：10A - 最大重复反向电流（I_RR）：0.5mA 2. 热特性: - 最大结温（T_j）：150℃ - 最大存储温度（T_STG）：-40℃至 +150℃ - 热阻（R_THJA）：25℃/W 3. 正向特性: - 正向压降（V_F）：约0.52V（在10A时...

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STPS1045D/F

POWER SCHOTTKY RECTIFIER

MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

V_F

10 A

45 V

0.57 V

FEATURES AND BENEFITS

VERY SMALL CONDUCTION LOSSES

NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES

EXTREMELY FAST SWITCHING

LOW FORWARD VOLTAGE DROP

INSULATED PACKAGE:ISOWATT220AC

Insulating voltage = 2000V DC

Capacitance = 12pF

TO-220AC

STPS1045D

ISOWATT220AC

STPS1045F

DESCRIPTION

Single chip Schottky rectifier suited for Switch

Mode Power Supply and high frequency DC to DC

converters.

This device is intended for use in low voltage, high

frequency inverters, free wheeling and polarity pro-

tection applications.

ABSOLUTE RATINGS

Symbol

(limiting values)

Parameter

Value

Unit

V_RRM

Repetitive peak reverse voltage

I_F(RMS)RMS forward current

I_F(AV)

Average forward current

TO-220AC

Tc = 150°C

Tc = 145°C

= 0.5

ISOWATT220AC

I_FSM

I_RRM

Surge non repetitive forward current

Repetitive peak reverse current

tp = 10 ms

Sinusoidal

180

tp = 2 µs

F = 1KHz

Tstg

Storage temperature range

- 65 to + 175

175

Maximum junction temperature

Critical rate of rise of reverse voltage

°C

V/ s

dV/dt

10000

September 1999 - Ed: 3B

1/5

STPS1045D/F

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

Value

2.2

Unit

R_{th (j-c)}Junction to case

TO-220AC

C/W

ISOWATT220AC

4.5

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Tests Conditions

Min. Typ. Max.

Unit

I_R*

Reverse leakage current

Tj = 25 C

V_R= V_RRM

100

Tj = 125 C

V_F**

Forward voltage drop

Tj = 25 C

I_F= 15 A

0.84

0.72

0.57

Tj = 125 C

I_F= 7.5 A

Pulse test : * tp = 5 ms,δ < 2 %

** tp = 380 µs, δ< 2%

To evaluate the conduction losses use the following equation :

P = 0.42 x I_F(AV)+ 0.015 I_{F (RMS)}

Fig. 1:

average forward current.

Average forward power dissipation versus

Fig. 2:

ture ( : 0.5).

Average current versus ambient tempera-

PF(av)(W)

IF(av)(A)

δ = 0.1

δ = 0.05

δ = 0.2

δ = 0.5

Rth(j-a)=Rth(j-c)

TO220AC

δ = 1

ISOWATT220

Rth(j-a)=15°C/W

IF(av) (A)

=tp/T

Tamb(°C)

75 100

=tp/T

10 11 12

125

150

175

2/5

STPS1045D/F

Fig. 3-1:

Non repetitive surge peak forward cur-

Fig. 3-2:

Non repetitive surge peak forward cur-

rent versus overload duration (maximum values)

(ISOWATT220AC).

rent versus overload duration (maximum values)

(TO-220AC).

IM(A)

160

100

140

120

100

Tc=50°C

Tc=100°C

Tc=150°C

t(s)

=0.5

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

Fig. 4-1:

Relative variation of thermal transient im-

Fig. 4-2:

Relative variation of thermal transient im-

pedance junction to case versus pulse duration

(TO-220AC).

pedance junction to case versus pulse duration

(ISOWATT220AC).

Zth(j-c)/Rth(j-c)

1.0

0.8

δ = 0.5

0.6

0.4

δ = 0.2

δ = 0.1

0.2

tp(s)

=tp/T

Single pulse

=tp/T

Single pulse

0.0

1E-4

0.0

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

Fig. 5:

Fig. 6:

Junction capacitance versus reverse

voltage applied (typical values).

Reverse leakage current versus reverse

voltage applied (typical values).

C(pF)

IR(µA)

1000

1E+5

F=1MHz

Tj=25°C

Tj=150°C

1E+4

500

200

Tj=125°C

1E+3

Tj=100°C

1E+2

Tj=75°C

Tj=50°C

1E+1

Tj=25°C

1E+0

VR(V)

1E-1

100

10 15 20 25 30 35 40 45

3/5

STPS1045D/F

Fig. 7:

rent (maximum values).

Forward voltage drop versus forward cur-

IFM(A)

100.0

Tj=125°C

(Typical values)

Tj=125°C

Tj=25°C

10.0

1.0

0.1

VFM(V)

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-220AC

DIMENSIONS

Millimeters

Min.

REF.

Inches

Min.

Max.

4.60

1.32

2.72

0.70

0.88

1.70

5.15

10.40

Max.

0.181

0.051

0.107

0.027

0.034

0.066

0.202

0.409

4.40

1.23

2.40

0.49

0.61

1.14

4.95

10.00

0.173

0.048

0.094

0.019

0.024

0.044

0.194

0.393

Ø I

16.40 typ.

0.645 typ.

13.00

2.65

14.00

2.95

0.511

0.104

0.600

0.244

0.137

0.551

0.116

0.620

0.259

0.154

15.25

6.20

15.75

6.60

3.50

3.93

2.6 typ.

0.102 typ.

Diam. I

3.75

3.85

0.147

0.151

4/5

STPS1045D/F

PACKAGE MECHANICAL DATA

ISOWATT220AC

DIMENSIONS

Millimeters

Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.

REF.

Inches

4.40

2.50

2.40

0.40

0.75

1.15

4.95

10.00

4.60 0.173

2.70 0.098

2.75 0.094

0.70 0.016

1.00 0.030

1.70 0.045

5.20 0.195

10.40 0.394

0.181

0.106

0.108

0.028

0.039

0.067

0.205

0.409

16.00

0.630

L3 28.60

L6 15.90

30.60 1.125

16.40 0.626

9.30 0.354

3.20 0.118

1.205

0.646

0.366

0.0126

9.00

Diam 3.00

Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of

use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by

implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to

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STPS1045D产品参数

型号:	STPS1045D
Brand Name：	STMicroelectronics
生命周期：	Active
IHS 制造商：	STMICROELECTRONICS
零件包装代码：	TO-220AC
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	11 weeks
风险等级：	0.74
Samacsys Description：	Schottky barrier diode,STPS1045D 10A 45V STMicroelectronics STPS1045D Schottky Diode, 10A, 45V, 2-Pin TO-220AC
其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	POWER
外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.57 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	180 A
元件数量：	1
相数：	1
端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V
最大反向电流：	15000 µA
子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

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