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STU3LN62K3产品参数和技术文档

STU30L01A产品图

STU3LN62K3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.49000
$1.49
10
1.31900
$13.19
100
1.04250
$104.25
500
0.80846
$404.23
1,000
0.63825
$638.25

STU3LN62K3产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 620V 2.5A(Tc) 45W(Tc) I-PAK

制造商:STMicroelectronics

系列:SuperMESH3™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):620V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):17nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):386pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):45W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I-PAK

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装:75

其它名称:497-12361

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