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STW30NM50N产品参数和技术文档

STW30NM50N产品图

STW30NM50N产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
10.42000
$10.42
10
9.37500
$93.75
100
7.70790
$770.79

STW30NM50N产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 500V 27A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™ II

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):115 毫欧 @ 13.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):94nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2740pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):190W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-3

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:30

其它名称:497-8795-5

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