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STW38N65M5-4产品参数和技术文档

STW38N65M5-4产品图

STW38N65M5-4产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
8.34000
$8.34
10
7.50400
$75.04
100
6.16980
$616.98
500
5.16926
$2,584.63
1,000
4.50225
$4,502.25

STW38N65M5-4产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L

详细描述:通孔 N 沟道 650V 30A(Tc) 190W(Tc) TO-247-4L

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™ M5

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):95 毫欧 @ 15A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):71nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3000pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):190W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-4L

封装/外壳:TO-247-4

标准包装:30

其它名称:497-18042 STW38N65M5-4-ND

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