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STW4N150产品参数和技术文档

STW4N150产品图

STW4N150产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
8.00000
$8.00
10
7.20100
$72.01
100
5.92080
$592.08
500
4.96070
$2,480.35
1,000
4.32061
$4,320.61

STW4N150产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3

制造商:STMicroelectronics

系列:PowerMESH™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):1500V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):50nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):160W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-3

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:30

其它名称:497-5092-5

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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