芯片STW8NB100的概述
STW8NB100是一款由意法半导体(STMicroelectronics)公司生产的N沟道MOSFET(绝缘栅场效应晶体管),其在功率电子应用中找到广泛的用途。MOSFET以其高效的开关速度和低导通电阻而闻名,特别适合于电源管理、DC-DC转换器和电机驱动等领域。STW8NB100的设计和制造考虑了高功率、高频率应用的需求,成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。
STW8NB100采用N沟道结构,可以有效降低导通损耗,提供较高的电流承载能力。其最大的特点之一是其相对较高的击穿电压和低的导通电阻,这使得其在高温和高电压环境下依然稳定工作。广泛应用于开关电源、马达驱动器和其他高功率电路中。
芯片STW8NB100的详细参数
STW8NB100的主要参数包括:
- V_DS(漏源电压): 100V - I_D(漏电流): 8A - R_DS(on)(导通电阻): 0.5Ω(在V_GS=10V时) - P_tot(总功耗): 94W - T_J(结温): -55°C至150°C - 电容参数(Ciss, Coss, Crss): - Ciss: 1300pF - Coss: 230pF - Crss: 110pF - 开关速度: 速度快,适合高频应用 - 封装形式: TO-220
这些参数表明,STW8NB100在高电压和高电流的条件下均表现出良好的工作特性,特别适用于对热管理有较高要求的应用,如电源转换和电机控制。
芯片STW8NB100的厂家、包装与封装
STW8NB100由意法半导体(STMicroelectronics)设计和制造,这是一家全球领先的半导体公司,致力于電子解决方案及创新。STMicroelectronics在功率器件领域拥有良好的声誉,STW8NB100作为其产品之一,保障了高品质和可靠性。
在包装方面,STW8NB100采用TO-220封装,这种封装形状为长方形,脚位具有良好的散热性能,非常适合高电流应用。TO-220封装允许用户直接安装在散热片上,大幅降低器件的工作温度,从而提高了整个系统的效率和可靠性。
芯片STW8NB100的引脚和电路图说明
STW8NB100的引脚配置如下:
1. 引脚1(G):栅极(Gate) - 控制MOSFET的开关状态,当施加足够的栅电压时,MOSFET导通。 2. 引脚2(D):漏极(Drain) - 连接到负载,一般情况下流出电流。 3. 引脚3(S):源极(Source) - 连接到电源电路的负极,流入电流。
在电路图中,STW8NB100的引脚与电源及负载的连接非常重要。MOSFET工作于不同模式时,其导通和关断状态由栅极电压控制,确保在高频应用中可以快速切换,从而实现高效的能量管理。
芯片STW8NB100的使用案例
STW8NB100在多个领域得到了广泛应用,以下是几个具体的使用案例:
1. 开关电源转换器
在开关电源中,STW8NB100常用作主要的开关元件。通过控制栅极电压,可以实现高频开关,从而将输入的直流电压转换为不同输出电压值。由于其低导通电阻,能够有效降低能量损耗,提高转换效率。
2. 电机驱动
在电机控制系统中,如无刷直流电机(BLDC),STW8NB100可以用作H桥电路中的开关元件。通过对栅极的PWM控制,可以实现电机的调速和方向控制。其高频响应能力使其能够实现高效的电机驱动管理。
3. 照明驱动
在LED驱动电路中,STW8NB100也可以应用于调光和开关控制。通过PWM信号调节栅极电压,能够实现LED亮度的调节,适合在需要高效率与长寿命的照明系统中使用。
4. 电池管理系统
在电池管理系统(BMS)中,STW8NB100用于控制充放电过程,降低电池充放电时的损耗。能够通过智能调节电流输出来优化电池的充电效率,延长电池使用寿命。
上述使用案例展示了STW8NB100在不同应用中的灵活性和高效性,进一步提高了相关设备和系统的性能和可靠性。
通过以上的分析,可以看出STW8NB100以其卓越的性能和多样的应用先天优势,成为了现代电子电路中不可或缺的一部分。
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型号: | STW8NB100 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | STMICROELECTRONICS |
零件包装代码: | TO-247AC |
包装说明: | TO-247, 3 PIN |
针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.64 |
雪崩能效等级(Eas): | 700 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
最大漏极电流 (ID): | 7.3 A |
最大漏源导通电阻: | 1.45 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AC |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 190 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 29.2 A |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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