STW8NB100产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247

详细描述：通孔 N 沟道 1000V 7.3A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3

制造商：STMicroelectronics

系列：PowerMESH™

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：1000V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.45 欧姆 @ 3.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：95nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2900pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-3

封装/外壳：TO-247-3

标准包装：30

其它名称：497-2646-5

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）