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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 厂家ST 
    • 封装TO-247 
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    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
    • QQ:2881512844QQ：2881512844 复制
    • 075584507705 QQ:2881512844
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量65000 
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    • 封装SOD123 
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    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-23605827 QQ:2881495753
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 厂家STMicroelectronics 
    • 封装原厂封装 
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    • 0755-88917743 QQ:2881495751
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    • 深圳市芯鹏泰科技有限公司

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    • 数量7536 
    • 厂家STMicroelectronics 
    • 封装MAX247? 
    • 批号23+ 
    • 晶体管MOSFET原装现货
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    • 0755-82777852 QQ:892152356
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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家ST 
    • 封装MAX247 
    • 批号21+ 
    • 原装电子元件/半导体&元器件供应商。批量样品支持
    • QQ:2881664480QQ：2881664480 复制
    • 0755-83532193 QQ:2881664480
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    • 深圳市楚胜电子有限公司

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    • STY60NM60
    • 数量22358 
    • 厂家ST 
    • 封装TO 247 MAX 
    • 批号22+ 
    • 房间现货，价格优势。
    • QQ:424519403QQ：424519403 复制
    • 一线：0755-23483775 QQ:424519403
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    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • 数量3500 
    • 厂家ST 
    • 封装TO 247 MAX 
    • 批号23+ 
    • 全新原装现货特价销售！
    • QQ:867789136QQ：867789136 复制
      QQ:1245773710QQ：1245773710 复制
    • 0755-82723761 QQ:867789136QQ:1245773710
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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • 数量30000 
    • 厂家ST/意法 
    • 封装TO-247 
    • 批号23+ 
    • 全新原装现货，价格优势
    • QQ:1774550803QQ：1774550803 复制
      QQ:2924695115QQ：2924695115 复制
    • 0755-82777855 QQ:1774550803QQ:2924695115
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    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

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    • 数量48000 
    • 厂家一级代理 
    • 封装一级代理 
    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
    • QQ:3007226851QQ：3007226851 复制
      QQ:3007226849QQ：3007226849 复制
    • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • STY60NM60
    • 数量15 
    • 厂家ST/意法 
    • 封装NA/ 
    • 批号23+ 
    • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
      QQ:3007947087QQ：3007947087 复制
    • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 深圳市高捷芯城科技有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • STY60NM60
    • 数量7814 
    • 厂家ST(意法半导体) 
    • 封装TO-247 
    • 批号23+ 
    • 支持大陆交货，美金交易。原装现货库存。
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
      QQ:3007947087QQ：3007947087 复制
    • 0755-83062789 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 集好芯城

       该会员已使用本站13年以上
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    • 数量18024 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-247 
    • 批号最新批次 
    • 原装原厂 现货现卖
    • QQ:3008092965QQ：3008092965 复制
      QQ:3008092965QQ：3008092965 复制
    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
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    • 数量27438 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-247 
    • 批号2023+ 
    • 绝对原装正品全新进口深圳现货
    • QQ:1002316308QQ：1002316308 复制
      QQ:515102657QQ：515102657 复制
    • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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    • 深圳市西源信息科技有限公司

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    • 数量8800 
    • 厂家ST/意法 
    • 封装TO-247 
    • 批号最新批号 
    • 原装现货零成本有接受价格就出
    • QQ:3533288158QQ：3533288158 复制
      QQ:408391813QQ：408391813 复制
    • 0755-84876394 QQ:3533288158QQ:408391813
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    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • 数量10000 
    • 厂家ST 
    • 封装TO 247 MAX 
    • 批号2024+ 
    • 原装正品，假一罚十
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
      QQ:1344056792QQ：1344056792 复制
    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • 数量660000 
    • 厂家STM（STMicroelectronics） 
    • 封装MAX247? 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • STY60NM60
    • 数量5000 
    • 厂家STMicroelectronics 
    • 封装贴/插片 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
    • QQ:857273081QQ：857273081 复制
      QQ:1594462451QQ：1594462451 复制
    • 010-62104931 QQ:857273081QQ:1594462451
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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • 数量2368 
    • 厂家ST-意法半导体 
    • 封装TO-247-3 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥108元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
    • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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    • 上海熠富电子科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
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    • 数量21000 
    • 厂家ST 
    • 封装TO247MAX 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
    • QQ:2719079875QQ：2719079875 复制
      QQ:2300949663QQ：2300949663 复制
    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
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    • 深圳市富科达科技有限公司

       该会员已使用本站13年以上
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    • 数量12100 
    • 厂家ST 
    • 封装TO247MAX 
    • 批号2020+ 
    • 全新原装进口现货特价热卖，长期供货
    • QQ:1327510916QQ：1327510916 复制
      QQ:1220223788QQ：1220223788 复制
    • 0755-28767101 QQ:1327510916QQ:1220223788
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    • 上海磐岳电子有限公司

       该会员已使用本站11年以上
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    • 数量5800 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-247 
    • 批号2024+ 
    • 全新原装现货，杜绝假货。
    • QQ:3003653665QQ：3003653665 复制
      QQ:1325513291QQ：1325513291 复制
    • 021-60341766 QQ:3003653665QQ:1325513291
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

       该会员已使用本站10年以上
    • STY60NM60
    • 数量30000 
    • 厂家ST 
    • 封装 
    • 批号2023+ 
    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
    • QQ:498361569QQ：498361569 复制
      QQ:389337416QQ：389337416 复制
    • 0755-13631573466 QQ:498361569QQ:389337416
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    • 深圳市宗天技术开发有限公司

       该会员已使用本站10年以上
    • STY60NM60
    • 数量20 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-247 
    • 批号21+ 
    • 宗天技术 原装现货/假一赔十
    • QQ:444961496QQ：444961496 复制
      QQ:2824256784QQ：2824256784 复制
    • 0755-88601327 QQ:444961496QQ:2824256784
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    • 深圳市和谐世家电子有限公司

       该会员已使用本站13年以上
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    • 数量1580 
    • 厂家STMicroelectronics 
    • 封装MAX247? 
    • 批号最新批号 
    • 全新原装假一贴十！
    • QQ:1158840606QQ：1158840606 复制
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    • 深圳市惠诺德电子有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • STY60NM60
    • 数量29500 
    • 厂家STMicroelectronics 
    • 封装MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 
    • 批号21+ 
    • 原装现货，只有原装
    • QQ:1211267741QQ：1211267741 复制
      QQ:1034782288QQ：1034782288 复制
    • 159-7688-9073 QQ:1211267741QQ:1034782288
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    • 深圳市富莱微科技有限公司

       该会员已使用本站6年以上
    • STY60NM60
    • 数量6828 
    • 厂家STMicroelectronics 
    • 封装TO-247-3 
    • 批号20+ 
    • 进口原装，公司现货
    • QQ:1968343307QQ：1968343307 复制
      QQ:2885835292QQ：2885835292 复制
    • 0755-83210149 QQ:1968343307QQ:2885835292
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    • 深圳市鹏睿康科技有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • STY60NM60
    • 数量1200 
    • 厂家ST 
    • 封装只做原装 
    • 批号23+ 
    • 原装现货假一赔万，原包原标，支持实单
    • QQ:2885392746QQ：2885392746 复制
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    • 0755-83192793 QQ:2885392746QQ:2885392744
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    • 深圳市芯柏然科技有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • STY60NM60
    • 数量26800 
    • 厂家ST 
    • 封装TO-247 
    • 批号22+ 
    • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售
    • QQ:287673858QQ：287673858 复制
    • 0755-82533534 QQ:287673858
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    • 深圳市驰天熠电子有限公司

       该会员已使用本站1年以上
    • STY60NM60
    • 数量33560 
    • 厂家ST(意法半导体) 
    • 封装MAX247 
    • 批号23+ 
    • 全新原装，优势价格，支持配单
    • QQ:3003795629QQ：3003795629 复制
      QQ:534325024QQ：534325024 复制
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    • 深圳德田科技有限公司

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    • 厂家新年份 
    • 封装9600 
    • 批号 
    • 原装正品现货，可出样品！！！
    • QQ:229754250QQ：229754250 复制
    • 0755-83254070 QQ:229754250
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • STY60NM60
    • 数量6980 
    • 厂家ST 
    • 封装22+ 
    • 批号SOD123 
    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
    • QQ:2881512844QQ：2881512844 复制
    • 075584507705 QQ:2881512844
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    • 深圳市创思克科技有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • STY60NM60
    • 数量8800 
    • 厂家ST/意法 
    • 封装Max247 
    • 批号20+ 
    • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871

    产品型号STY60NM60的概述

    STY60NM60 芯片概述及详细参数分析 一、芯片概述 STY60NM60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其设计目的是在高电压和高电流应用中提供高效能和良好的可靠性，适合广泛使用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。STY60NM60以其高开关速度和低导通电阻特性，使其在消费电子、工业控制及汽车电子等多个领域得到了广泛应用。 二、详细参数 根据制造商的规格书，STY60NM60的详细参数如下： - 最大漏极-源极电压（VDS）: 600V - 最大持续漏极电流（ID）: 60A - 最大脉冲漏极电流（IDM）: 240A - 最大栅极-源极电压（VGS）: ±20V - 导通电阻（RDS(on)）: 0.150Ω（@ VGS = 10V） - 总门电荷（Q total）: 80nC - 开关时间...

    产品型号STY60NM60的Datasheet PDF文件预览

    STY60NM60  
    N-CHANNEL 600V - 0.050Ω - 60A Max247  
    Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET  
    TYPE  
    V
    DSS  
    R
    I
    D
    DS(on)  
    STY60NM60  
    600V  
    < 0.055Ω  
    60 A  
    TYPICAL R (on) = 0.050Ω  
    DS  
    HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES  
    IMPROVED ESD CAPABILITY  
    LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE  
    CHARGE  
    3
    2
    1
    LOW GATE INPUT RESISTANCE  
    TIGHT PROCESS CONTROL  
    INDUSTRY’S LOWEST ON-RESISTANCE  
    Max247  
    DESCRIPTION  
    The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET  
    technology that associates the Multiple Drain pro-  
    cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal  
    layout. The resulting product has an outstanding low  
    on-resistance, impressively high dv/dt and excellent  
    avalanche characteristics. The adoption of the  
    Company’s proprietary strip technique yields overall  
    dynamic performance that is significantly better than  
    that of similar competition’s products.  
    INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
    APPLICATIONS  
    The MDmesh™ family is very suitable for increasing  
    power density of high voltage converters allowing  
    system miniaturization and higher efficiencies.  
    ORDERING INFORMATION  
    SALES TYPE  
    MARKING  
    PACKAGE  
    Max247  
    PACKAGING  
    STY60NM60  
    Y60NM60  
    TUBE  
    July 2003  
    1/8  
    STY60NM60  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
    Symbol  
    Parameter  
    Value  
    600  
    Unit  
    V
    V
    DS  
    Drain-source Voltage (V = 0)  
    GS  
    V
    Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
    600  
    V
    DGR  
    GS  
    V
    Gate- source Voltage  
    ±30  
    V
    GS  
    I
    Drain Current (continuous) at T = 25°C  
    60  
    A
    D
    C
    I
    Drain Current (continuous) at T = 100°C  
    37.8  
    240  
    A
    D
    C
    I
    ( )  
    Drain Current (pulsed)  
    A
    DM  
    P
    TOT  
    Total Dissipation at T = 25°C  
    560  
    W
    C
    V
    Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
    Derating Factor  
    6
    KV  
    W/°C  
    V/ns  
    °C  
    °C  
    ESD(G-S)  
    4.5  
    dv/dt (1)  
    Peak Diode Recovery voltage slope  
    Storage Temperature  
    15  
    T
    stg  
    –65 to 150  
    150  
    T
    Max. Operating Junction Temperature  
    j
    (•)Pulse width limited by safe operating area  
    (1) I ≤60A, di/dt ≤400 A/µs, V ≤ V  
    , T ≤ T  
    j JMAX.  
    SD  
    DD  
    (BR)DSS  
    THERMAL DATA  
    Rthj-case  
    Rthj-amb  
    Thermal Resistance Junction-case  
    Thermal Resistance Junction-ambient  
    Max  
    Max  
    0.22  
    30  
    °C/W  
    °C/W  
    °C  
    T
    Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose  
    300  
    l
    AVALANCHE CHARACTERISTICS  
    Symbol  
    Parameter  
    Max Value  
    Unit  
    I
    AR  
    Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive  
    30  
    A
    (pulse width limited by T max)  
    j
    E
    Single Pulse Avalanche Energy  
    1.4  
    J
    AS  
    (starting T = 25 °C, I = I , V = 35 V)  
    j
    D
    AR  
    DD  
    GATE-SOURCE ZENER DIODE  
    Symbol  
    BV  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Igs=± 1mA (Open Drain)  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    Gate-Source Breakdown  
    Voltage  
    30  
    V
    GSO  
    PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES  
    The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s  
    ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be  
    applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and  
    cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the  
    usage of external components.  
    2/8  
    STY60NM60  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T  
    = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)  
    CASE  
    ON/OFF  
    Symbol  
    Parameter  
    Drain-source  
    Test Conditions  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    V
    I
    = 250 µA, V = 0  
    600  
    V
    (BR)DSS  
    D
    GS  
    Breakdown Voltage  
    I
    Zero Gate Voltage  
    V
    V
    V
    = Max Rating  
    DS  
    10  
    µA  
    µA  
    µA  
    DSS  
    Drain Current (V = 0)  
    GS  
    = Max Rating, T = 125°C  
    100  
    ±10  
    DS  
    GS  
    C
    I
    Gate-body Leakage  
    = ± 20V  
    GSS  
    Current (V = 0)  
    DS  
    V
    V
    V
    = V , I = 250 µA  
    5
    V
    Gate Threshold Voltage  
    3
    4
    GS(th)  
    DS  
    GS  
    GS  
    D
    R
    Static Drain-source On  
    Resistance  
    = 10 V, I = 30 A  
    0.050  
    0.055  
    Ω
    DS(on)  
    D
    DYNAMIC  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    g
    (1)  
    Forward Transconductance  
    V
    = I  
    x R  
    DS(on)max,  
    35  
    S
    fs  
    DS  
    D(on)  
    I
    = 30 A  
    D
    C
    Input Capacitance  
    Output Capacitance  
    Reverse Transfer  
    Capacitance  
    V
    = 25 V, f = 1 MHz, V = 0  
    7300  
    2000  
    40  
    pF  
    pF  
    pF  
    iss  
    DS  
    GS  
    C
    oss  
    C
    rss  
    R
    Gate Input Resistance  
    f=1 MHz Gate DC Bias = 0  
    Test Signal Level = 20mV  
    Open Drain  
    1.8  
    Ω
    G
    SWITCHING ON  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    t
    Turn-on Delay Time  
    Rise Time  
    V
    R
    = 300 V, I = 30 A  
    = 4.7Ω V = 10 V  
    GS  
    55  
    95  
    ns  
    ns  
    d(on)  
    DD  
    D
    t
    r
    G
    (see test circuit, Figure 3)  
    Q
    Total Gate Charge  
    Gate-Source Charge  
    Gate-Drain Charge  
    V
    V
    = 470 V, I = 60 A,  
    = 10 V  
    178  
    44.5  
    95  
    266  
    nC  
    nC  
    nC  
    g
    DD  
    GS  
    D
    Q
    gs  
    gd  
    Q
    SWITCHING OFF  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min.  
    Min.  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    t
    Off-voltage Rise Time  
    Fall Time  
    Cross-over Time  
    V
    DD  
    = 400 V, I = 60 A,  
    130  
    76  
    105  
    ns  
    ns  
    ns  
    r(Voff)  
    D
    t
    f
    R = 4.7Ω, V = 10 V  
    G GS  
    (see test circuit, Figure 5)  
    t
    c
    SOURCE DRAIN DIODE  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Typ.  
    Max.  
    Unit  
    I
    Source-drain Current  
    Source-drain Current (pulsed)  
    60  
    240  
    A
    A
    SD  
    (2)  
    I
    SDM  
    V
    (1)  
    I
    I
    = 60 A, V = 0  
    Forward On Voltage  
    1.5  
    V
    SD  
    SD  
    SD  
    GS  
    t
    Reverse Recovery Time  
    Reverse Recovery Charge  
    Reverse Recovery Current  
    = 60 A, di/dt = 100 A/µs,  
    = 30 V, T = 150°C  
    600  
    14  
    48  
    ns  
    µC  
    A
    rr  
    Q
    V
    DD  
    rr  
    RRM  
    j
    I
    (see test circuit, Figure 5)  
    Note: 1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.  
    2. Pulse width limited by safe operating area.  
    3/8  
    STY60NM60  
    Safe Operating Area  
    Thermal Impedance  
    Output Characteristics  
    Transfer Characteristics  
    Transconductance  
    Static Drain-source On Resistance  
    4/8  
    STY60NM60  
    Gate Charge vs Gate-source Voltage  
    Capacitance Variations  
    Normalized Gate Threshold Voltage vs Temp.  
    Normalized On Resistance vs Temperature  
    Source-drain Diode Forward Characteristics  
    Normalized BVDSS vs Temperature  
    5/8  
    STY60NM60  
    Fig. 1: Unclamped Inductive Load Test Circuit  
    Fig. 2: Unclamped Inductive Waveform  
    Fig. 3: Switching Times Test Circuit For  
    Fig. 4: Gate Charge test Circuit  
    Resistive Load  
    Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching  
    And Diode Recovery Times  
    6/8  
    STY60NM60  
    Max247 MECHANICAL DATA  
    mm  
    inch  
    TYP.  
    DIM.  
    MIN.  
    4.70  
    2.20  
    1.00  
    2.00  
    3.00  
    0.40  
    19.70  
    5.35  
    15.30  
    14.20  
    3.70  
    TYP.  
    MAX.  
    5.30  
    2.60  
    1.40  
    2.40  
    3.40  
    0.80  
    20.30  
    5.55  
    15.90  
    15.20  
    4.30  
    MIN.  
    MAX.  
    A
    A1  
    b
    b1  
    b2  
    c
    D
    e
    E
    L
    L1  
    P025Q  
    7/8  
    STY60NM60  
    Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the  
    consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from  
    its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications  
    mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information  
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    systems without express written approval of STMicroelectronics.  
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    Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States.  
    © http://www.st.com  
    8/8  
    配单直通车
    STY60NM60产品参数
    型号:STY60NM60
    Brand Name：STMicroelectronics
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Active
    IHS 制造商：STMICROELECTRONICS
    包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
    针数：3
    Reach Compliance Code：not_compliant
    ECCN代码：EAR99
    Factory Lead Time：12 weeks
    风险等级：5.69
    Samacsys Confidence：3
    Samacsys Status：Released
    Samacsys PartID：222578
    Samacsys Pin Count：3
    Samacsys Part Category：Transistor
    Samacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
    Samacsys Footprint Name：MAX247
    Samacsys Released Date：2015-11-03 12:30:39
    Is Samacsys：N
    雪崩能效等级（Eas）：1400 mJ
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：600 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
    最大漏极电流 (ID)：60 A
    最大漏源导通电阻：0.055 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PSIP-T3
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：IN-LINE
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：600 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：NO
    端子面层：Tin (Sn)
    端子形式：THROUGH-HOLE
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
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