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SUB75P03-07-E3产品参数和技术文档

SUB70N03-90P产品图

SUB75P03-07-E3产品参考价格

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2.72550
$2,180.40

SUB75P03-07-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 75A(Tc) 3.75W(Ta),187W(Tc) TO-263(D2Pak)

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):240nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9000pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.75W(Ta),187W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-263(D2Pak)

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:800

其它名称:SUB75P03-07-E3TR SUB75P0307E3

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