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SUD19P06-60-E3产品参数
型号:SUD19P06-60-E3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:0.92
雪崩能效等级(Eas):24.2 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):18.3 A
最大漏极电流 (ID):19 A
最大漏源导通电阻:0.12 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):38.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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