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  • 八零友创集团

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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SUD50N02-09P-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 20V 20A TO252

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 20A(Ta) 39.5W(Tc) TO-252

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):39.5W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,000

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