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  • SUM70030M-GE3图
  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • SUM70030M-GE3
  • 数量8357 
  • 厂家VISHAY(威世) 
  • 封装TO-263-6 
  • 批号23+ 
  • 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
  • QQ:3007947087QQ:3007803260
  • 0755-83062789 QQ:3007947087QQ:3007803260
  • SUM70030M-GE3图
  • 深圳市惠诺德电子有限公司

     该会员已使用本站6年以上
  • SUM70030M-GE3
  • 数量29500 
  • 厂家Vishay Siliconix 
  • 封装MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7 
  • 批号21+ 
  • 原装现货,只有原装
  • QQ:1211267741QQ:1034782288
  • 159-7688-9073 QQ:1211267741QQ:1034782288
  • SUM70030M-GE3图
  • 万三科技(深圳)有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • SUM70030M-GE3
  • 数量660000 
  • 厂家Vishay(威世) 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
  • 0755-21006672 QQ:3008961398
配单直通车
SUM70040E-GE3产品参数
型号:SUM70040E-GE3
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.65
Samacsys Description:Vishay SUM70040E-GE3 N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK
雪崩能效等级(Eas):266 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):120 A
最大漏源导通电阻:0.004 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):480 A
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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