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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市科恒伟业电子有限公司

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SUP75P03-07-E3产品参数和技术文档

SUP75N05-06A产品图

SUP75P03-07-E3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
3.34000
$3.34
10
2.98400
$29.84
100
2.44660
$244.66
500
1.98116
$990.58
1,000
1.67086
$1,670.86

SUP75P03-07-E3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB

详细描述:通孔 P 沟道 30V 75A(Tc) 3.75W(Ta),187W(Tc) TO-220AB

制造商:Vishay Siliconix

系列:-

包装:管件

零件状态:最後搶購

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):240nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9000pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.75W(Ta),187W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:500

其它名称:SUP75P0307E3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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