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| 型号: | SZMMBZ12VALT1G |
| Brand Name： | ON Semiconductor |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 |
| 制造商包装代码： | 318-08 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| Factory Lead Time： | 4 weeks |
| 风险等级： | 1.52 |
| 最大击穿电压： | 12.6 V |
| 最小击穿电压： | 11.4 V |
| 击穿电压标称值： | 12 V |
| 最大钳位电压： | 17 V |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 40 W |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 参考标准： | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
| 最大重复峰值反向电压： | 8.5 V |
| 最大反向电流： | 0.2 µA |
| 反向测试电压： | 8.5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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