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TJ80S04M3L(T6L1,NQ产品参数和技术文档

TJ7660D产品图

TJ80S04M3L(T6L1,NQ产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,000
1.00913
$2,018.25

TJ80S04M3L(T6L1,NQ产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
详细描述:
表面贴装 P 沟道 40V 80A(Ta) 100W(Tc) DPAK+
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVI
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5.2 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
158nC @ 10V
Vgs(最大值)
+10V,-20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7770pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
DPAK+
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装
2,000
其它名称
TJ80S04M3L(T6L1NQ TJ80S04M3LT6L1NQ
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • TJ7660D
    优势库存
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司

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