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TPC8018-H(TE12LQM)产品参数和技术文档

TPC8017产品图

TPC8018-H(TE12LQM)产品参考价格

TPC8018-H(TE12LQM)产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.6 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
38nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2265pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOP(5.5x6.0)
封装/外壳
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
标准包装
3,000
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
  • 日期
  • 询价
  • TPC8017
  • 深圳市鸿辉电子有限公司

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  • TOS 
  • 06+(PB) 
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