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TPC8018-H(TE12LQM)产品参数和技术文档

TPC8017产品图

TPC8018-H(TE12LQM)产品参考价格

TPC8018-H(TE12LQM)产品参数

品牌：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
详细描述：
表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.6 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
38nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2265pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOP（5.5x6.0）
封装/外壳
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
标准包装
3,000
型号： 厂家： 批号： 封装： 型号完全相同
  •  
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