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TPC8127 Datasheet技术文件下载

TPC8129,LQ(S产品参数和技术文档

TPC8127产品图

TPC8129,LQ(S产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.32183
$804.57

TPC8129,LQ(S产品参数

品牌：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
详细描述：
表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVI
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
22 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
39nC @ 10V
Vgs（最大值）
+20V，-25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1650pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装
2,500
其它名称
TPC8129LQ(S TPC8129LQS
型号： 厂家： 批号： 封装： 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 单价/备注
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全选 （询价技巧：选中型号前面的多选框，可以同时向多家询价。）
产品索引： TPS51117RGYTG4 TPS7A6133QKVURQ1 TPS2391DGKR TL432BCPK TRS3223IPWR TMS320DM642AGDK5 TPS23750PWPRG4 TFBS6614-TR3 TC4027BFN TSM111CDT

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