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TPCA8021-H(TE12LQM产品参数和技术文档

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TPCA8021-H(TE12LQM产品参考价格

TPCA8021-H(TE12LQM产品参数

品牌：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述：
表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
27A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1395pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），45W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳
8-PowerVDFN
标准包装
3,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）
1（无限）
型号： 厂家： 批号： 封装： 型号完全相同
  •  
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