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TPCA8021-H(TE12LQM产品参数和技术文档

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TPCA8021-H(TE12LQM产品参考价格

TPCA8021-H(TE12LQM产品参数

品牌:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
27A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
9 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1395pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta),45W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5)
封装/外壳
8-PowerVDFN
标准包装
3,000
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)
型号: 厂家: 批号: 封装: 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
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