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产品型号T1989N18TOF的概述

芯片T1989N18TOF的概述 T1989N18TOF是一款综合性能优良的集成电路芯片,广泛应用于各种电子设备中。该芯片主要用于信号处理、数据转换和逻辑运算等领域。随着科技的不断进步,T1989N18TOF凭借其出色的参数和适应性,成为许多工程师和设计师所青睐的选择。 详细参数 T1989N18TOF的主要参数包括工作电压、工作温度范围、电流消耗及信息传输速率等。以下是一些关键参数: - 工作电压范围:通常为3.3V至5V,适合低功耗应用。 - 工作温度范围:-40°C至85°C,适用于各种环境条件。 - 最大输出电流:可达50mA,满足大多数小型电子产品的需求。 - 信息传输速率:支持高达1 Mbps的数据传输,适应快速数据的处理需求。 - 引脚配置:采用常规的8引脚DIP封装,使得设计和调试工作更加方便。 这些参数表明T1989N18TOF在性能和稳定性方面具有较高的综合表现,适...

产品型号T1989N18TOF的Datasheet PDF文件预览

Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1989N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
1200  
1400  
1600 V  
1800 V  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max  
VDRM,VRRM  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200  
1400  
1600 V  
1800 V  
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
Tvj = -40°C... Tvj max  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VDSM  
non-repetitive peak forward off-state voltage  
1300  
1500  
1700 V  
1900 V  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
4200 A  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
ITRMSM  
ITAVM  
1990 A  
2680 A  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 85 °C  
TC = 65 °C  
40000 A  
36000 A  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
ITSM  
8000 10³ A²s  
6480 10³ A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
DIN IEC 60747-6  
200 A/µs  
Kritische Stromsteilheit  
(diT/dt)cr  
(dvD/dt)cr  
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
1000 V/µs  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
5.Kennbuchstabe / 5th letter F  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
max.  
max.  
2,05 V  
1,20 V  
Tvj = Tvj max , iT = 8 kA  
Tvj = Tvj max , iT = 2 kA  
vT  
0,90 V  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
Tvj = Tvj max  
V(TO)  
rT  
0,12 mΩ  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Durchlaßkennlinie  
on-state characteristic  
1000 A iT 10000 A  
A=  
B=  
C=  
D=  
1,407E+00  
4,780E-05  
-1,327E-01  
1,628E-02  
vT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D  
iT  
Zündstrom  
Tvj = 25 °C, vD = 12V  
Tvj = 25 °C, vD = 12V  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max.  
250 mA  
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
max.  
2 V  
Nicht zündender Steuerstrom  
gate non-trigger current  
Tvj = Tvj max , vD = 12V  
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM  
max.  
max.  
10 mA  
5 mA  
Nicht zündende Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM  
Tvj = 25°C, vD = 12V  
max.  
0,25 V  
Haltestrom  
holding current  
max.  
300 mA  
Einraststrom  
latching current  
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK 10 Ω  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs  
IL  
max. 1500 mA  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse current  
Tvj = Tvj max  
iD, iR  
tgd  
max.  
max.  
250 mA  
4 µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
gate controlled delay time  
DIN IEC 60747-6  
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
H.Sandmann  
date of publication: 2007-09-03  
prepared by:  
revision:  
1
approved by: J.Przybilla  
MA2-BE / 15 Aug 1995, K.-A. Rüther  
A 122/95  
Seite/page  
1/10  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1989N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
typ.  
250  
µs  
Freiwerdezeit  
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM  
tq  
circuit commutated turn-off time  
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs  
4.Kennbuchstabe / 4th letter O  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin  
beidseitig / two-sided, DC  
Anode / anode, θ = 180°sin  
Anode / anode, DC  
RthJC  
Innerer Wärmewiderstand  
max. 0,0133 °C/W  
max. 0,0125 °C/W  
max. 0,0218 °C/W  
max. 0,0206 °C/W  
max. 0,0342 °C/W  
max. 0,0318 °C/W  
thermal resistance, junction to case  
Kathode / cathode, θ = 180°sin  
Kathode / cathode, DC  
Kühlfläche / cooling surface  
beidseitig / two-sides  
Übergangs-Wärmewiderstand  
RthCH  
0,003  
0,006  
max.  
max.  
°C/W  
°C/W  
thermal resistance, case to heatsink  
einseitig / single-sides  
125 °C  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
Betriebstemperatur  
operating temperature  
-40...+125 °C  
-40...+150 °C  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
Seite 3  
page 3  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Anpresskraft  
clamping force  
F
30...65 kN  
Steueranschlüsse  
control terminals  
Gate  
Kathode / cathode  
A 2,8x0,8  
A 4,8x0,8  
Gewicht  
weight  
G
typ.  
900 g  
Kriechstrecke  
30 mm  
50 m/s²  
creepage distance  
Schwingfestigkeit  
vibration resistance  
f = 50 Hz  
MA2-BE / 15 Aug 1995, K.-A. Rüther  
A 122/95  
Seite/page  
2/10  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1989N  
Phase Control Thyristor  
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)  
1: Anode / Anode  
4 5  
2: Kathode / Cathode  
4: Gate  
1
2
5: Hilfskathode/  
Auxiliary Cathode  
MA2-BE / 15 Aug 1995, K.-A. Rüther  
A 122/95  
Seite/page  
3/10  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1989N  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Kühlung /  
Pos. n  
2
3
5
6
7
-
-
-
-
-
-
14
Cooling  
Rthn [°C/W] 0,00004  
0,00060  
0,00298  
0,00158  
0,00466  
0,00108  
0,00360  
0,00097  
0,01350  
0,00139  
0,05640  
0,00464  
0,02090  
0,00291  
0,13400  
0,00725  
0,27200  
0,01404  
0,11100  
0,00456  
0,44900  
0,01009  
1,13900  
0,01200  
1,12500  
0,00342  
beidseitig  
two-sided  
0,00029  
Rthn [°C/W] 0,00029  
0,00072  
Rthn [°C/W] 0,00005  
0,00018  
2,05000  
τn [s]  
-
-
-
-
anodenseitig  
anode-sided  
τn [s]  
kathodenseitig  
cathode-sided  
τn [s]  
nmax  
-t  
τn  
=
ZthJC  
Rthn 1 e  
Analytische Funktion / Analytical function:  
Σ
n=1  
0,035  
0,030  
0,025  
0,020  
0,015  
0,010  
0,005  
0,000  
c
a
b
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC  
thJC = f(t)  
Z
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling  
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling  
MA2-BE / 15 Aug 1995, K.-A. Rüther  
A 122/95  
Seite/page  
4/10  
Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T1989N  
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ  
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ  
Zth Θ rec / Zth Θ sin  
Kühlung / Cooling  
Θ = 180°  
Θ = 120°  
Θ = 90°  
Θ = 60°  
Θ = 30°  
Zth Θ rec  
0,00111  
0,00180  
0,00230  
0,00297  
0,00398  
[°C/W]  
beidseitig  
two-sided  
Zth Θ sin  
0,00085  
0,00184  
0,00124  
0,00277  
0,00243  
0,00119  
0,00306  
0,00180  
0,00419  
0,00317  
0,00163  
0,00396  
0,00253  
0,00512  
0,00403  
0,00227  
0,00528  
0,00368  
0,00626  
0,00517  
0,00333  
0,00762  
0,00610  
0,00782  
0,00684  
[°C/W]  
Zth Θ rec  
[°C/W]  
anodenseitig  
anode-sided  
Zth Θ sin  
[°C/W]  
Zth Θ rec  
[°C/W]  
kathodenseitig  
cathode-sided  
Zth Θ sin  
[°C/W]  
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec  
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin  
12.000  
10.000  
8.000  
6.000  
4.000  
2.000  
Tvj = Tvj max  
0
0,9  
1,1  
1,3  
1,5  
1,7  
1,9  
2,1  
2,3  
2,5  
VT [V]  
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)  
Tvj = Tvj max  
MA2-BE / 15 Aug 1995, K.-A. Rüther  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1989N  
Phase Control Thyristor  
5000  
180°  
120°  
90°  
4000  
0°  
180°  
60°  
0
θ = 30°  
3000  
2000  
1000  
0
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
3000  
ITAV [A]  
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV  
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current  
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
140  
120  
100  
80  
0°  
180°  
0
60  
40  
θ = 30°  
1000  
60°  
90°  
2000  
120°  
180°  
20  
0
500  
1500  
2500  
3000  
I
TAV [A]  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV  
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current  
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1989N  
Phase Control Thyristor  
7000  
6000  
DC  
180°  
0°  
0
5000  
180°  
120°  
90°  
60°  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
θ = 30°  
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
ITAV [A]  
3000  
3500  
4000  
4500  
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV  
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current  
)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
140  
120  
100  
80  
180°  
0°  
0
60  
40  
θ = 30°  
1000 1500  
60°  
90°  
2000  
120°  
180°  
DC  
20  
0
500  
2500  
TAV [A]  
3000  
3500  
4000  
4500  
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV  
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current  
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1989N  
Phase Control Thyristor  
100  
c
10  
1
b
a
0,1  
10  
iG [mA]  
100  
1000  
10000  
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V  
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V  
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :  
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms  
100000  
10000  
1000  
iTM = 4000A  
2000A  
1000A  
500A  
200A  
100A  
-di/dt [A/µs]  
1
10  
100  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)  
Tvj= Tvjmax, vR 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1989N  
Phase Control Thyristor  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
0-50V  
0,33 VRRM  
0,67 VRRM  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen  
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus  
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM  
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of  
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM  
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax  
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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1989N  
Phase Control Thyristor  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der  
Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application  
Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei  
Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact).  
For those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on  
the realization of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
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配单直通车
T1989N18TOF产品参数
型号:T1989N18TOF
生命周期:Transferred
IHS 制造商:EUPEC GMBH & CO KG
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
标称电路换相断开时间:300 µs
配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:250 mA
最大直流栅极触发电压:3 V
JESD-30 代码:O-CEDB-X4
通态非重复峰值电流:36000 A
元件数量:1
端子数量:4
最大通态电流:1990000 A
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:4200 A
断态重复峰值电压:1800 V
重复峰值反向电压:1800 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:END
触发设备类型:SCR
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
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