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| 型号: | T599F08TEB |
| 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | FAST |
| 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 250 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.2 V |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 通态非重复峰值电流： | 10000 A |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 600000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1500 A |
| 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
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