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| 型号: | TC511001AZ-80 |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | TOSHIBA CORP |
| 零件包装代码： | ZIP |
| 包装说明： | ZIP, |
| 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | NIBBLE |
| 最长访问时间： | 80 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PZIP-T19 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 25.8 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NIBBLE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 19 |
| 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | ZIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 |
| 座面最大高度： | 10.16 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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