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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 数量2500 
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  • 封装Packing: 15/tube/dip24 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 首天国际(深圳)科技有限公司

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  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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产品型号TC5516APL的概述

TC5516APL芯片概述 TC5516APL是由台湾的天津科技电子公司(Tian Chi Technology)设计并制造的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于16K x 1位的DRAM,通常用于中小规模的存储需求,其高存取速度和较大的数据存储能力使其在许多电子设备中得到广泛应用。...
配单直通车
TC5516APL产品参数
型号:TC5516APL
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.6
针数:24
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
最长访问时间:250 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:24
字数:2048 words
字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:2KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5 mm
最大待机电流:0.000001 A
子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1
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