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  • TC55V1001SRI-85L图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 长荣电子

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  • TC55V1001SRI-85
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  • TC55V1001SRI-85L图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • TC55V1001SRI-85L
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TC55V1001SRI-85产品参数
型号:TC55V1001SRI-85
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:TSOP1
包装说明:0.50 MM PITCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.89
Is Samacsys:N
最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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