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  • TC55V2325FF-100图
  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • TC55V2325FF-100
  • 数量1672 
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  • TC55V2325FF-100EL图
  • 北京首天国际有限公司

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  • TC55V2325FF-100EL
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  • 长荣电子

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量9800 
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TC55V2325FF-100产品参数
型号:TC55V2325FF-100
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,
针数:100
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.87
Is Samacsys:N
最长访问时间:6 ns
其他特性:SYNCHRONOUS SELF-TIMED WRITE
JESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0
长度:20 mm
内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:32
功能数量:1
端子数量:100
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64KX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.7 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3.1 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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