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| 型号: | TC59YM816BKG24A |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | CSP |
| 包装说明： | TFBGA, BGA104,11X16,50/32 |
| 针数： | 107 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.72 |
| 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N240 |
| 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 107 |
| 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 16MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA104,11X16,50/32 |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 16384 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.86 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.74 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
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