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TE28F640J3F75产品参数
型号:TE28F640J3F75
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
零件包装代码:TSOP
包装说明:TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数:56
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77
最长访问时间:75 ns
备用内存宽度:8
命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G56
长度:18.4 mm
内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16
湿度敏感等级:1
功能数量:1
部门数/规模:64
端子数量:56
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:4MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP56,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小:4/8 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):235
电源:3/3.3 V
编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:128K
最大待机电流:0.00012 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.054 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:NO
类型:NOR TYPE
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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