飞兆半导体推出降低便携式应用热阻的功率开关

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ.html" target="_blank" title="FDMJ1023PZ">FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z.html" target="_blank" title="FDFMJ2P023Z">FDFMJ2P023Z，适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗(<30V)应用。这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作，同时提供较之于其他解决方案降低75%的RDS(ON)和降低66%的热阻。 FDMJ1023PZ.html" target="_blank" title="FDMJ1023PZ">FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z.html" target="_blank" title="FDFMJ2P023Z">FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench技术，封装为2.0mm×1.6mm SC-75，较3×3mm SSOT-6封装及SC-70封装体积分别减小65%和20%。

这些2.0mm ×1.6mm MicroFET功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能，它们的性能与3mm×3mm SSOT-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等，在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要，因为更多的功能将要集成在越来越小的PCB空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5V栅极驱动电压下运作的特性。

FDMJ1023P和FDFMJ2P023Z.html" target="_blank" title="FDFMJ2P023Z">FDFMJ2P023Z的主要特性包括：

◆节省空间，因为这些MicroFET开关较采用SC-70封装的功率开关体积减小20%

◆确保在低至1.5V栅极驱动电压下运作，能够满足便携式应用的电压要求

◆出色的电气性能和热性能

◆RDS(ON)160mΩ@VGS=-2.5V

◆热阻89℃/W

FDMJ1023PZ.html" target="_blank" title="FDMJ1023PZ">FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z.html" target="_blank" title="FDFMJ2P023Z">FDFMJ2P023Z采用无铅(Pb-free)端子，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS) 的要求。

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